[发明专利]快速补偿芯片内图形线宽均匀性的方法有效
申请号: | 201910643690.5 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN110400745B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 王建涛;杨正凯 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 栾美洁 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种快速补偿芯片内图形线宽均匀性的方法,在掩膜版的切割道放置补偿图形并获取补偿图形的位置坐标信息;在掩膜版内选取位于芯片有效区域内且与补偿图形具有相同线宽和间距的结构图形并获取结构图形的位置坐标信息;将补偿图形和结构图形的位置坐标信息反馈至掩膜版生产单元;制作掩膜版并量测补偿图形和结构图形的线宽;以掩膜版的特征尺寸为横坐标、补偿图形的线宽和结构图形的线宽为纵坐标绘制散点图,拟合出两条一次曲线;对补偿图形进行修正并利用修正后的补偿图形对芯片内图形进行补偿。本发明直接利用掩膜版制作过程中的量测结果进行快速预补偿,不需要采集刻蚀之后补偿图形的特征尺寸,提高了补偿效率,节省了试跑时间。 | ||
搜索关键词: | 快速 补偿 芯片 图形 均匀 方法 | ||
【主权项】:
1.一种快速补偿芯片内图形线宽均匀性的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,在掩膜版的切割道放置补偿图形,获取所述补偿图形的位置坐标信息;步骤2,在掩膜版内选取位于芯片有效区域内的结构图形,所述结构图形与切割道的补偿图形具有相同的线宽和间距,获取所述结构图形的位置坐标信息;步骤3,将所述补偿图形的位置坐标信息和所述结构图形的位置坐标信息反馈至掩膜版生产单元;步骤4,制作掩膜版,并量测所有补偿图形和结构图形的线宽;步骤5,以掩膜版的特征尺寸为横坐标、量测得到的补偿图形的线宽为纵坐标绘制散点图,拟合得到一次曲线并获得该一次曲线的关系式y1=ax+b,同时以掩膜版的特征尺寸为横坐标、量测得到的结构图形的线宽为纵坐标绘制散点图,拟合得到一次曲线并获得该一次曲线的关系式y2=cx+d;步骤6,对补偿图形进行修正,修正公式为y1=k(y2‑d)+b,其中k为大于或者等于1的自然数;步骤7,利用修正后的补偿图形对芯片内图形进行补偿。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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