[发明专利]一种制备高纵宽比二氧化钛的垂直刻蚀工艺在审
| 申请号： | 201910639978.5 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110347014A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 宋清海;王雨杰;代振兴;肖淑敏 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（深圳） |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人： | 罗志伟 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于光电探测器件制备技术领域，具体涉及一种制备高纵宽比二氧化钛的垂直刻蚀工艺，所述工艺包括：在ITO玻璃片上镀上一定厚度的二氧化钛，然后在二氧化钛上用均匀旋涂一层PMMA光刻胶；然后通过电子束使得PMMA会发生变性，固化去除，然后在PMMA的地方镀上一层金属掩膜；再对二氧化钛和金属掩膜采用不同的刻蚀速率进行垂直刻蚀，得到高纵宽比的二氧化钛。该工艺具有侧壁近似垂直；选择比高；能加工纵宽比很大的结构；加工方便等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化钛 金属掩膜 刻蚀工艺 垂直 刻蚀 制备 电子束 光电探测器件 制备技术领域 加工方便 近似垂直 光刻胶 选择比 变性 侧壁 旋涂 固化 去除 加工 | ||
【主权项】：
1.一种制备高纵宽比二氧化钛的垂直刻蚀工艺，其特征在于，包括以下制备步骤：(1)在ITO玻璃片上镀上一定厚度的二氧化钛，然后在二氧化钛上用均匀旋涂一层PMMA光刻胶；(2)利用电子束直写工艺，将高能量的电子束轰击样品表面的PMMA，然后电子束按着设定好的图案的反结构进行扫描，扫描过后PMMA会发生变性，固化，再通过显影液把没有变性固化的PMMA去掉，没有固化的PMMA地方露出了下面的二氧化钛；在所得的样片表面镀上一层金属，再用剥离液去掉样片上已经固化的PMMA，没有PMMA的地方上面就有金属掩膜，原来有PMMA的地方会空出来；(3)对二氧化钛和金属掩膜采用不同的刻蚀速率进行垂直刻蚀，得到高纵宽比的二氧化钛。
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