[发明专利]基于滤波阵列的硅片反射率检测方法在审
| 申请号： | 201910637592.0 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN112304904A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 唐旱波;陈全胜;刘尧平;赵燕;吴俊桃;王燕;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 刘晓敏 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于滤波阵列的硅片反射率检测方法，其包括以下步骤：将需检测的硅片放入密闭的箱体内；光源采用漫反射的方式对箱体内的硅片进行打光；采用相机对箱体内的硅片进行拍照获得图片，所述相机包括滤波阵列和感光元件，通过合理制定滤波阵列，用灰度来表征反射率，在一次测量中就可以得到多个波段的反射率信息，免去了光源切换不同波段的繁琐；利用感光元件的原理，用灰度值来表征样品反射的光子数，可以快速得到硅片各个局部区域的反射率信息，符合生产线上快速高效测量反射率的要求；同时，所需硬件配置简单，工作可靠性高，无需光源波段切换的控制系统和模拟太阳光谱的光源，成本较低，易于广泛推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 滤波 阵列 硅片 反射率 检测 方法 | ||
【主权项】：
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