[发明专利]一种具有三阶带通响应的基片集成波导功分器有效
| 申请号: | 201910636154.2 | 申请日: | 2019-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN110350278B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
| 发明(设计)人: | 肖飞;王余成;亓孝博 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01P5/16 | 分类号: | H01P5/16 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种基片集成波导功分器,隔离电阻位于共用谐振腔内的对称面上。基片集成波导功分器可以对输入信号进行等分或合成,同时具有三阶带通频率响应,可对输入信号进行滤波。仿真和测试结果表明:该基片集成波导功分器具有良好的频率选择性、较高的带外抑制、输出端口之间的隔离度高、尺寸较小、设计过程简单等优点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 具有 三阶带通 响应 集成 波导 功分器 | ||
【主权项】:
1.一种基片集成波导功分器,其特征在于:第一端口(Port#1)连接到第一谐振腔(Cav1),第一谐振腔(Cav1)连接第二谐振腔(Cav2),第二谐振腔(Cav2)连接第三谐振腔(Cav3),第三谐振腔(Cav3)连接第二端口(Port#2);同时,第一谐振腔(Cav1)连接第四谐振腔(Cav4),第四谐振腔(Cav4)连接第五谐振腔(Cav5),第五谐振腔(Cav5)连接第三端口(Port#3);在第一谐振腔(Cav1)的金属上覆层(I)内,在对称面上刻蚀矩形槽(Mr),跨接第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和第三电阻(R3);第一谐振腔(Cav1)、第二谐振腔(Cav2)、第三谐振腔(Cav3)、第四谐振腔(Cav4)和第五谐振腔(Cav5)由金属化通孔(Hole)围列而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910636154.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。





