[发明专利]一种电致热辐射发光阵列器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910633612.7 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110300475A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 朱梦剑;罗芳;秦石乔 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H05B33/04 | 分类号： | H05B33/04;H05B33/14 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱轶 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 提供了一种电致热辐射发光阵列器件，它包括硅片、硅片上的石墨烯薄膜阵列、蒸镀在石墨烯薄膜阵列中每个石墨烯薄膜两端的金属电极，以及最上层的三氧化二铝绝缘层，所述三氧化二铝绝缘层沉积在整个硅片最外层，以覆盖石墨烯薄膜阵列、金属电极、以及石墨烯薄膜阵列和金属电极区域外的硅片表面，用于将硅片上的石墨烯薄膜与空气隔绝，避免石墨烯薄膜被氧化；还提供了其制备方法，以及由该方法制备的器件在光通信领域的应用。本发明的电致热辐射发光阵列器件具有体积小、分辨率高、开关速度快、辐射波长可调节、可大规模生产、易于和硅基工艺集成等优良特性，在片上集成高速光通信中有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯薄膜 硅片 发光阵列 金属电极 热辐射 电致 三氧化二铝 制备 绝缘层 制备方法和应用 高速光通信 光通信领域 绝缘层沉积 辐射波长 硅基工艺 硅片表面 空气隔绝 片上集成 分辨率 可调节 体积小 最上层 最外层 蒸镀 应用 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种电致热辐射发光阵列器件，其特征在于，它包括硅片、硅片上的石墨烯薄膜阵列、蒸镀在石墨烯薄膜阵列中每个石墨烯薄膜两端的金属电极、以及最上层的三氧化二铝绝缘层，所述三氧化二铝绝缘层沉积在整个硅片最外层，以覆盖石墨烯薄膜阵列、金属电极、以及石墨烯薄膜阵列和金属电极区域外的硅片表面，所述三氧化二铝绝缘层用于将硅片上的石墨烯薄膜与空气隔绝，避免石墨烯薄膜被氧化。
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