[发明专利]高质量高纯半绝缘碳化硅单晶、衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201910631401.X | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110396717B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 高超;梁庆瑞;张红岩;柏文文;赵爱梅;宗艳民;王雅儒;刘圆圆 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 韩玉昆 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高质量高纯半绝缘碳化硅单晶、衬底及其制备方法，属于半导体材料领域。该高纯半绝缘碳化硅单晶的制备方法将碳化硅原料置于坩埚内升华为升华原料，所述升华原料利用坩埚内的轴向温度梯度气相传输至一级籽晶进行一级长晶，即制得所述高纯半绝缘碳化硅单晶；其中，所述碳化硅原料与所述一级籽晶之间至少设置一个过渡籽晶，所述过渡籽晶使得至少部分升华原料进行一次长单晶‑再升华过程。本申请的制备方法可以使用低纯度的碳化硅原料制得极高纯度的半绝缘碳化硅单晶，同时能兼顾提升高纯半绝缘碳化硅单晶的生长质量，制备成本低；且本申请制得的高纯半绝缘碳化硅单晶及其衬底无或少量缺陷、纯度高、质量高和均匀性好。 | ||
| 搜索关键词： | 质量 高纯 绝缘 碳化硅 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯半绝缘碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将碳化硅原料置于坩埚内升华为升华原料，所述坩埚内的轴向温度梯度使得所述升华原料气相传输至一级籽晶进行一级长晶，即制得所述高纯半绝缘碳化硅单晶；其中，所述碳化硅原料与所述一级籽晶之间至少设置一个过渡籽晶，所述过渡籽晶使得至少部分升华原料进行长单晶‑再升华过程。
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