[发明专利]垂直型β氧化镓纳米线阵列的外延方法在审
| 申请号： | 201910629229.4 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN112210768A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 李军帅;张晓东;张宝顺;曹旭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/56;B82Y40/00;B01J23/08 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明揭示了一种垂直型β氧化镓纳米线阵列的外延方法，通入Ga源和O源，利用Ga催化剂自催化方法在衬底表面外延生长纳米线阵列，其中，外延生长温度为400℃～550℃。本发明利用Ga液滴自催化技术实现了垂直于衬底表面的高结晶质量纳米线阵列的制备，避免了其它催化剂对外延材料的非故意掺杂污染。本发明可在低温段500℃以下实现β‑Ga |
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| 搜索关键词： | 垂直 氧化 纳米 阵列 外延 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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