[发明专利]光刻胶去除方法有效
| 申请号： | 201910628837.3 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110716399B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 萧忠仁;陈雅萍;林建宏;刘文斌;陈志文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一些光刻胶去除方法。光刻胶去除方法包括通过残留气体分析仪对正在经受测试等离子体灰化工艺的多个半导体基板模型的每一者的工艺状态进行分析。用于半导体基板模型的测试等离子体灰化工艺使用多个测试配方；光刻胶去除方法还包括基于残留气体分析仪的分析结果以及至少一个预期的性能标准，选择测试配方的其中一者作为工艺配方。此外，光刻胶去除方法包括根据工艺配方，在半导体基板上进行等离子体灰化工艺，以从半导体基板上去除光刻胶层。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶去除方法，包括：/n通过一残留气体分析仪对正在经受一测试等离子体灰化工艺的多个半导体基板模型的每一者的一工艺状态进行分析，其中用于该等半导体基板模型的该等测试等离子体灰化工艺使用多个测试配方；/n基于该残留气体分析仪的该些分析结果以及至少一个预期的性能标准，选择该等测试配方的其中一者作为一工艺配方；以及/n根据该工艺配方，在一半导体基板上进行一等离子体灰化工艺，以从该半导体基板上去除一光刻胶层。/n
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