[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910624457.2 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110459592A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 崔京京;黄玉恩;章剑锋 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 娜拉<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 330200江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法。本发明实施例提供的半导体器件包括第一电极层；衬底层，位于第一电极层上；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，多个阱区在第一表面上的正投影相互间隔；第二电极层，包括设置于第一表面上相邻阱区之间的第一金属层，第一金属层与外延层之间形成势垒高度不同的肖特基接触。本发明实施例提供的半导体器件，能够提高正向导通能力，又不影响反向阻断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 第一表面 阱区 半导体器件 衬底层 外延层 第一金属层 第一电极 肖特基接触 第二电极 反向阻断 延伸设置 正向导通 正投影 势垒 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n第一电极层(1)；/n衬底层(2)，位于所述第一电极层(1)上，所述衬底层(2)为具有第一掺杂浓度的第一导电类型；/n外延层(3)，位于所述衬底层(2)上并具有远离所述衬底层(2)的第一表面(30)，所述外延层(3)为具有第二掺杂浓度的第一导电类型；/n阱区(4)，为第二导电类型，所述阱区(4)由所述第一表面(30)向所述外延层(3)内延伸设置，多个所述阱区(4)在所述第一表面(30)上的正投影相互间隔；/n第二电极层(5)，包括设置于所述第一表面(30)上相邻所述阱区(4)之间的第一金属层(51)，所述第一金属层(51)与所述外延层(3)之间形成势垒高度不同的肖特基接触。/n
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