[发明专利]三维阻变存储阵列、译码电路以及存储系统有效
| 申请号： | 201910623077.7 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110473579B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张锋;高琪;陈飞鸿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维阻变存储阵列、译码电路以及存储系统，所述三维阻变存储阵列包括：选通层，所述选通层包括按照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的N条源线以及M行、N列呈阵列排布的场效应晶体管，其中，位于同一行的场效应晶体管的栅极连接至同一字线，位于同一列的场效应晶体管的源极连接至同一源线，M和N为正整数；设置在所述选通层上方并且平行于所述选通层的L个平面电极，L为正整数；M×N个垂直贯穿所述L个平面电极的柱状存储结构，所述柱状存储结构包括柱状电极和包裹在所述柱状电极外壁的存储介质层，每个柱状电极的一端对应连接一个场效应晶体管的漏极。本发明提供的三维阻变存储阵列，低成本的三维高密度存储。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 阵列 译码 电路 以及 存储系统 | ||
【主权项】：
1.一种三维阻变存储阵列，其特征在于，包括：/n选通层，所述选通层包括按照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的N条源线以及M行、N列呈阵列排布的场效应晶体管，其中，位于同一行的场效应晶体管的栅极连接至同一字线，位于同一列的场效应晶体管的源极连接至同一源线，M和N为正整数；/n设置在所述选通层上方并且平行于所述选通层的L个平面电极，L为正整数；/nM×N个垂直贯穿所述L个平面电极的柱状存储结构，所述柱状存储结构包括柱状电极和包裹在所述柱状电极外壁的存储介质层，每个柱状电极的一端对应连接一个场效应晶体管的漏极。/n
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