[发明专利]一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池

摘要

本发明公开了一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，包括一衬底，衬底上依次设有GaN层和n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上一侧有一台面，n型掺杂GaN层上表面依次设有超晶格层、非掺杂GaN缓冲层、非掺杂InGaN/GaN多量子阱层、GaN势垒层、AlInGaN势垒层和p型掺杂GaN层，p型掺杂GaN层上设有多个p型电极，p型电极之间通过透明电极层连接；n型掺杂GaN层台面上设有n型电极。本发明通过在外延p‑GaN之前插入一层AllnGaN层来对改进p‑GaN结构，使该层结构具有较好的晶格匹配和较低的热膨胀系数，空穴载流子的输运效率提高，光电转化率达到1.96％。

主权项

1.一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，其特征在于，包括一衬底(1)，所述衬底(1)上设置有GaN层(2)，所述GaN层(2)上设置有n型掺杂GaN层(3)，所述n型掺杂GaN层(3)上表面的一侧具有一台面，所述台面低于所述n型掺杂GaN层(3)的上表面，所述n型掺杂GaN层(3)上表面从下到上依次层叠设置有超晶格层(4)、非掺杂GaN缓冲层(5)、非掺杂InGaN/GaN多量子阱层(6)、GaN势垒层(7)、AlInGaN势垒层(8)和p型掺杂GaN层(9)，所述p型掺杂GaN层(9)上设置有多个p型电极(10)，相邻的所述p型电极(10)之间通过设置在所述p型掺杂GaN层(9)上的透明电极层(11)连接；所述n型掺杂GaN层(3)的台面上设置有n型电极(12)。