[发明专利]一种含苯并噻二唑单元的非掺杂空穴传输材料及制备与应用有效
| 申请号： | 201910619891.1 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110343119B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 朱霨亚;李远 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C07D495/04 | 分类号： | C07D495/04;C07D417/14;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于有机光电材料领域，公开了一种含苯并噻二唑单元的非掺杂空穴传输材料及制备与应用。所述含苯并噻二唑单元的空穴传输材料具有式(I)所示的化学通式。本发明的空穴传输材料的两端由对称的苯并噻二唑连接二甲氧基三苯胺构成，中间部分则是含有芳基或杂环芳基的连接基团。该空穴传输材料不仅具有功函数可调、非掺杂态的高空穴迁移率及优异的溶液加工成膜性特点，其电化学、热稳定性和无需添加剂掺杂的优势可以在提升钙钛矿太阳电池的光电转化性能、稳定性的同时降低电池的制备成本，在钙钛矿太阳电池等光电器件领域极具应用前景。 |
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| 搜索关键词： | 一种 噻二唑 单元 掺杂 空穴 传输 材料 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种含苯并噻二唑单元的空穴传输材料，其特征在于所述含苯并噻二唑单元的空穴传输材料具有式(I)所示的化学通式：![]()
式中，R为含有芳基或杂环芳基的连接基团。
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