[发明专利]一种半导体表面态载流子寿命测试方法有效
| 申请号： | 201910615736.2 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110470965B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 程茜;解维娅;高雅;陈一铭;陈盈娜;张梦娇;张浩南;吴诗颖 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨宏泰 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种半导体表面态载流子寿命测试方法，包括以下步骤：1)采用光子能量高于半导体禁带宽度的窄脉冲光源发射光脉冲，经光路准直耦合到近场光学探针中，近场光学探针在待测半导体材料的表面激发产生光生载流子；2)激发出的光生载流子集中在半导体材料的表面，以表面态作为复合中心不断发生复合，该复合速率与载流子浓度、载流子寿命成正比；3)在步骤1)和步骤2)的载流子激发和复合过程中，由于电子体积效应均产生晶格常数的变化，并产生应力波，通过高频宽带超声检测方式检测此应力波信号；4)对应力波信号进行拟合计算，得到表面态的载流子寿命τ |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体 表面 载流子 寿命 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体表面态载流子寿命测试方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)采用光子能量高于半导体禁带宽度的窄脉冲光源发射光脉冲，经光路准直耦合到近场光学探针中，近场光学探针在待测半导体材料的表面激发产生光生载流子；/n2)激发出的光生载流子集中在半导体材料的表面，以表面态作为复合中心不断发生复合，该复合速率与载流子浓度、载流子寿命成正比；/n3)在步骤1)和步骤2)的载流子激发和复合过程中，由于电子体积效应均产生晶格常数的变化，并产生应力波，通过高频宽带超声检测方式检测此应力波信号；/n4)对应力波信号进行拟合计算，得到表面态的载流子寿命τc。/n
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