[发明专利]利用非对称结构实现高性能的F-P薄膜滤波器及制备方法在审
| 申请号： | 201910608779.8 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110333567A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 何燕军;刘爽;李佳城;宋轶佶;许阳;龙飞;刘永 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B5/28 | 分类号： | G02B5/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及利用非对称结构实现高性能的F‑P薄膜滤波器及制备方法。改结构是在腔层上方沉积3个周期的高低折射率材料，下方沉积3个周期高低折射率材料，最后再表面沉积一层低折射率材料，起到提升滤波器性能(提升半峰宽和反射抑制比)。以L代表低折射率材料，H代表高折射率材料，2H代表腔层材料，Sub代表衬底，即整体的滤波器结构表示为LHLHLH‑2H‑LHLHLH‑Sub，腔层上下3个周期的高低折射率层组合(HL)。高折射率材料选用了非晶硅(a‑Si)，低折射率材料选用了氮化硅(SiNx)，衬底选用硅衬底，制备手段主要是利用RF‑PECVD。本发明的非对称F‑P薄膜滤波器的机构，具有高反射滤波性能、设备要求低，工艺制作简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 低折射率材料 薄膜滤波器 腔层 制备 高低折射率材料 高折射率材料 非对称结构 衬底 沉积 滤波器 高低折射率层 滤波器结构 表面沉积 反射抑制 工艺制作 滤波性能 设备要求 氮化硅 非对称 非晶硅 高反射 硅衬底 | ||
【主权项】：
1.利用非对称结构实现高性能的F‑P薄膜滤波器，其特征在于：基于腔层两端利用增透膜实现非对称的F‑P薄膜滤波器结构，可以有效地提高滤波器的滤波性能，包括半峰宽和反射抑制比。
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