[发明专利]一种制备超高纯铟的装置及其制备方法

摘要

本发明公开了一种制备超高纯铟的装置及其制备方法，包括真空腔体，设于该真空腔体内的蒸馏系统及位于蒸馏系统右下方的垂直区熔系统；制备时先将金属铟原料置于石墨坩埚内，通过第一导杆下移冷凝板，进行真空蒸馏，随后待石墨坩埚内的金属铟熔体降温冷却后，上移冷凝板，旋转装置使坩埚倾转一定角度将金属铟熔体浇注于石英管内，通过三段独立式加热装置及冷却装置分别设置加热温度、冷却温度，并通过第二导杆带动石英管上下移动和自旋，进行垂直区熔，制得超高纯铟。本发明通过将真空蒸馏法与垂直区熔法有机结合，进而能够实现7N及7N以上的超高纯铟的高效稳定生产。

主权项

1.一种制备超高纯铟的装置，其特征在于：包括真空腔体(1)，设于该真空腔体(1)内的蒸馏系统及位于蒸馏系统右下方的垂直区熔系统；其中，所述蒸馏系统包括通过中频感应加热的石墨坩埚(2)、位于该石墨坩埚(2)上端的冷凝板(3)，将石墨坩埚(2)进行倾转浇注的旋转装置，所述冷凝板(3)上端连接有上下移动的第一导杆(4)，以实现冷凝板(3)的上下移动；所述垂直区熔系统包括石英管(5)、套设于石英管(5)外侧的三段独立式钽丝加热装置(6)以及设于石英管(5)下端的、可上下移动及转动的第二导杆(7)，所述三段独立式加热装置(6)的上端及下端分别设有冷凝装置(8)。