[发明专利]制造存储器装置的方法在审
| 申请号： | 201910603772.7 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110890462A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 曹正铉;金梥坨;寺井真之 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L45/00;H01L43/02;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种制造存储器装置的方法，该方法包括：在基底上形成晶体管；形成覆盖晶体管的下层间绝缘层；在下层间绝缘层上形成氢供应层；在氢供应层上形成氢阻挡层；对晶体管、下层间绝缘层和氢供应层进行退火；在对晶体管、下层间绝缘层和氢供应层进行退火之后，在氢阻挡层上形成存储器单元；以及形成围绕存储器单元的上层间绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 存储器 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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