[发明专利]金刚石基氮化镓HEMT结构制造方法有效
| 申请号： | 201910603626.4 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110211880B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L23/373;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提出一种金刚石基氮化镓HEMT结构制造方法，包括：在第一衬底上依次形成牺牲层和阻挡层；在所述阻挡层上生长氮化物外延层，并在所述氮化物外延层表面沉积第一介质层；选取第二衬底，在所述第二衬底上形成第二介质层；将所述第一介质层和第二介质层键合，使所述氮化物外延层夹在所述第一衬底与第二衬底之间；去除所述第一衬底和牺牲层，暴露出阻挡层；在所述暴露出的阻挡层表面生长金刚石层；去除所述第二衬底、第一介质层和第二介质层。本申请所提出的金刚石基氮化镓HEMT结构制造方法，能够便捷的制造出金刚石基HEMT结构，有利于大功率器件的广泛使用和HEMT器件的产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 氮化 hemt 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金刚石基氮化镓HEMT结构制造方法，其特征在于，包括：在第一衬底上依次形成牺牲层和阻挡层；在所述阻挡层上生长氮化物外延层，并在所述氮化物外延层表面沉积第一介质层；选取第二衬底，在所述第二衬底上形成第二介质层；将所述第一介质层和第二介质层键合，使所述氮化物外延层夹在所述第一衬底与第二衬底之间；去除所述第一衬底和牺牲层，暴露出阻挡层；在所述暴露出的阻挡层表面生长金刚石层；去除所述第二衬底、第一介质层和第二介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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