[发明专利]激光端面的量子阱钝化结构有效
| 申请号： | 201910602599.9 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110718850B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 亚伯兰雅库维奇 | 申请（专利权）人： | II-VI特拉华有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 韩辉峰;杨明钊 |
| 地址： | 美国特拉华州威尔明顿北市场*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包含由半导体材料（如硅、锗或锑）的交替薄层和介质势垒层组成的量子阱钝化结构的边缘发射激光二极管。半导体层足够薄以形成量子阱，介电层在相邻量子阱之间起着势垒的作用。与表面相邻的半导体层由晶体材料形成，其余的量子阱由非晶材料形成。该结构和形成该结构的方法使的该结构比使用基体（bulk）（厚的）硅钝化层的器件显示出更高的COD水平。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 端面 量子 钝化 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在边缘发射激光二极管的端面上形成钝化结构的方法，包括：/na) 在反应室中沉积一非晶半导体材料的薄层以覆盖暴露的激光器端面的表面，对所述暴露的激光器端面的表面进行解理或解理后进行处理，通过控制沉积的半导体材料的厚度以形成量子阱结构；/nb) 在所述量子阱结构上形成一介电材料的薄层，通过控制所形成的所述介电材料的厚度以为所述量子阱结构创建势垒。/n
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