[发明专利]硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910600344.9 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN112180502A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/124;G02B6/13;G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件及其制造方法。该硅基光耦合结构包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的第一光栅结构和第一光波导结构，所述第一光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第一光栅结构和所述第一光波导结构在横向上连接；位于所述第一光栅结构的上方的第二光栅结构，所述第二光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第二光栅结构与所述第一光栅结构在纵向上对置；与所述第二光栅结构在横向上连接的第二光波导结构；以及覆盖所述第一光栅结构、所述第一光波导结构、所述第二光栅结构以及所述第二光波导结构的外包层。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基光 耦合 结构 单片 集成 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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