[发明专利]一种晶圆、光刻工具校准方法、系统及存储介质有效
| 申请号： | 201910587963.9 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN112180688B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 于星;李天慧;秦俊峰 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆、光刻工具校准方法、系统及半导体器件制备方法，以及一种设备和存储计算机程序的计算机可读存储介质。晶圆包括校准图案包括形成在预设的光刻胶边缘去除区域的第一校准图案，第一校准图案的中心位于预设的光刻胶边缘去除区域的期望边界上；以及形成在预设的边缘曝光区域的第二校准图案。第一校准图案和第二校准图案分别包括等间距分布的第一测量参考线和第二测量参考线，由此能够准确测量EBR的实际边界与期望边界的偏差以及WEE的实际边界与期望边界之间的偏差，根据该偏差准确校准光刻工具，消除由于上述偏差造成的晶圆有效区域被影响的问题。提高晶圆出厂质量，进而提高半导体器件制备的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 工具 校准 方法 系统 存储 介质 | ||
【主权项】：
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