[发明专利]一种基于石墨烯的多频带太赫兹吸收器在审
| 申请号： | 201910586954.8 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110600887A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 胡丹;张进峰;刘丹 | 申请（专利权）人： | 安阳师范学院 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 455000 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于石墨烯的多频带太赫兹吸收器。本发明的吸收器由多个吸收器单元构成，所述的每个吸收器单元包括：衬底层(1)、金属层(2)、石墨烯层(3)；衬底层(1)位于最下层，衬底层(1)的上层是金属层(2)，金属层的上层是石墨烯层(3)；圆形谐振腔(21)的几何中心与结构单元的几何中心相重合，从金属层(2)的上表面开始刻到金属层(2)内一定深度但没有刻透；所述的圆形谐振腔(21)中无填充材料。本发明提供的太赫兹吸收器具有结构简单，吸收率高，极化不敏感且有六个吸收峰值点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 衬底层 吸收器 吸收器单元 圆形谐振腔 石墨烯层 吸收率 上层 极化不敏感 几何中心 填充材料 多频带 峰值点 上表面 石墨烯 最下层 重合 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种基于石墨烯的多频带太赫兹吸收器，其特征在于：该吸收器由多个吸收器单元构成，所述的每个吸收器单元包括：衬底层(1)、金属层(2)、石墨烯层(3)；衬底层(1)位于最下层，衬底层(1)的上层是金属层(2)，金属层的上层是石墨烯层(3)；圆形谐振腔(21)的几何中心与结构单元的几何中心相重合，从金属层(2)的上表面开始刻到金属层(2)内一定深度但没有刻透，所述一定深度是指从圆形谐振腔(21)的底部到衬底的上表面剩余的金属膜厚度仍能远大于电磁波的穿透深度；所述的圆形谐振腔(21)中无填充电磁波材质。/n
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