[发明专利]一种富氧环境中第三代半导体材料的表面改性方法及其装置在审
| 申请号： | 201910579337.5 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110405345A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 谢小柱;李俭国 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | B23K26/352 | 分类号： | B23K26/352;B23K26/12;B23K35/38 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于激光制造技术领域，公开了一种富氧环境中第三代半导体材料的表面改性方法及其装置。利用富氧环境的构建装置在待加工材料周围形成富氧氛围，将富氧容器固定于激光加工装置工作台上，从容器开口放入待加工半导体材料，将容器密闭，开启第四管道使用真空泵排空容器内的空气至真空表‑0.1Mpa，然后分别输入氧气和空气，在混合室内得到氧气浓度为21～99％的气体，再通过开启第三管道输出富氧气体，至真空表0.03Mpa时完成构建容器的富氧环境；调整激光加工装置的工作台，使激光束能够透过石英玻璃从开口进入到容器内，并聚焦至半导体材料上表面，最后设定加工图形与加工参数，运行加工程序，即实现半导体材料的表面改性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 富氧环境 表面改性 激光加工装置 第三代 真空表 富氧 氧气 加工半导体材料 待加工材料 富氧气体 构建装置 激光制造 加工参数 加工程序 排空容器 容器开口 石英玻璃 激光束 上表面 真空泵 工作台 密闭 放入 构建 开口 聚焦 室内 输出 加工 | ||
【主权项】：
1.一种富氧环境中第三代半导体材料的表面改性方法，其特征在于，包括如下具体步骤：S1.利用富氧环境的构建装置，将富氧容器固定于激光加工装置工作台上，从容器的开口放入待加工半导体材料，用套有U型橡胶密封圈的石英玻璃盖住开口以将容器密闭，先关闭第一管道、第二管道、第三管道，开启第四管道使用接有真空表的真空泵排空容器内的空气至真空表显示‑0.1Mpa后关闭真空泵，然后关闭第三管道，从第一管道和第二管道分别输入氧气和空气，在气体混合室内得到氧气浓度为21～99％的气体，再开启第三管道输出富氧气体10～30s，至真空表显示0.03Mpa时关闭第一管道、第二管道和第三管道完成构建容器的富氧环境；S2.调整激光加工装置的工作台，使激光束透过石英玻璃盖从开口进入到富氧容器内，并聚焦至待加工的半导体材料的表面，然后设定加工图形与加工参数，运行加工程序，即实现第三代半导体材料的表面改性。
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