[发明专利]改进的应力去耦微机电系统传感器有效
| 申请号： | 201910575373.4 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110655033B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | H·托伊斯;T·考茨施;S·比塞尔特;H·弗雷利施;M·豪博尔德;B·克诺特;W·朗海因里希;A·罗特;M·施特格曼;M·福格特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张昊 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及改进的应力去耦微机电系统传感器。例如，一种半导体器件可包括应力去耦结构以至少部分地去耦半导体器件的第一区域和半导体器件的第二区域。应力去耦结构可包括基本垂直于半导体器件的主表面的沟槽集合。第一区域可包括微机电(MEMS)结构。半导体器件可包括密封元件以至少部分地密封应力去耦结构的开口。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 应力 微机 系统 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n应力去耦结构，至少部分地去耦所述半导体器件的第一区域和所述半导体器件的第二区域，/n其中所述应力去耦结构包括基本垂直于所述半导体器件的主表面的沟槽集合，并且/n其中所述第一区域包括微机电MEMS结构，以及/n密封元件，至少部分地密封所述应力去耦结构的开口。/n
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