[发明专利]积层体的制造方法有效
| 申请号： | 201910574839.9 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151672B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 林仲汉;庄豪仁;罗国峰;许延有 | 申请（专利权）人： | 北京时代全芯存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H01L21/306 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种积层体的制造方法。形成基底层。形成多层结构于基底层上，多层结构包含依序堆叠的元件层、牺牲层以及保护层。蚀刻移除多层结构的元件层、牺牲层与保护层，以形成图案化多层结构。形成第一介电质层，并且第一介电质层覆盖多层结构的侧面。研磨移除部分第一介电质层与部分保护层。蚀刻移除图案化多层结构的保护层，以显露出牺牲层。形成通孔于第一介电质层，以显露出基底层。蚀刻移除图案化多层结构的牺牲层，以形成开孔于第一介电质层，并且开孔显露出元件层的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 积层体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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