[发明专利]一种宽温区强磁场中热电效应的电学测量方法在审
申请号: | 201910572602.7 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110275077A | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 赵辉;栾仲智;周礼繁;缪冰锋;吴镝 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01K7/16 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210093*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法,包括以下步骤:(1)在基片上生长磁性绝缘体薄膜和金属薄膜组成待测样品;(2)将待测样品的磁性绝缘薄膜一侧用导电银胶和金属块粘接,在样品薄膜的金属薄膜一侧上涂上低温绝缘导热胶和加热贴片电阻粘接;(3)金属块和样品座相连,样品座放入到低温强磁场平台,测得磁性绝缘体薄膜一侧的温度;(4)通过贴片电阻通电前后的阻值变化测得最终的温度差。本发明可在较大的温度范围(2K~400K)内,定量测量磁性绝缘体薄膜中的温度梯度,测试信号信噪比好,能测到nV量级信号。 | ||
搜索关键词: | 磁性绝缘体 薄膜 待测样品 金属薄膜 热电效应 金属块 宽温区 强磁场 样品座 粘接 低温强磁场 绝缘导热胶 测试信号 导电银胶 电学测量 电学测试 定量测量 加热贴片 绝缘薄膜 贴片电阻 温度梯度 样品薄膜 阻值变化 温度差 信噪比 电阻 放入 通电 生长 | ||
【主权项】:
1.一种宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法,其特征在于包括以下步骤:a、在基片(3)上生长磁性绝缘体薄膜(4)和金属薄膜(5)组成待测样品;b、将待测样品的磁性绝缘薄膜(4)一侧用导电银胶(2)和金属块(1)粘接,在样品薄膜的金属薄膜(5)一侧上涂上低温绝缘导热胶(6),通过低温绝缘导热胶(6)将待测样品的金属薄膜一侧和加热贴片电阻(7)粘接;c、金属块(1)和样品座(12)相连,样品座(12)通过低温强磁场平台样品腔(11)放入到低温强磁场平台的样品台(10),低温强磁场平台(9)的系统温度即为磁性绝缘体薄膜一侧的温度;d、通过铝线(8)将贴片电阻(7)两端引出和印刷电路板(14)连接进而测试电学信号,贴片电阻(7)不通入电流时,待测样品金属薄膜(5)一侧温度与待测样品磁性绝缘体薄膜(4)温度一致,即低温强磁场平台(9)的温度。当贴片电阻通入电流时,通过测试此时金属薄膜(5)的阻值结合金属薄膜(5)的R‑T曲线来确定待测样品金属薄膜(5)一侧的温度,得到最终的温度差。
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