[发明专利]发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910568758.8 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110649067B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 林东赫;S·Y·郑;韩圭一;柳男锡;朴柔利 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;陈炜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及发光显示装置及其制造方法。本公开内容提供了可以防止在子像素中共同堆叠公共层的结构中的电流泄漏的发光显示装置以及制造该发光显示装置的方法。发光显示装置包括：基板，其具有多个子像素；第一电极，其设置在每个子像素中；堤部，其限定在每个子像素中的发射部，所述堤部具有比第一电极的上表面具有更大程度的表面粗糙度的上表面；第一公共层，其设置在子像素上以便覆盖第一电极和堤部；发光层，其设置在第一公共层上以便与每个子像素的发射部相对应；以及第二电极，其设置在被设置于子像素上的发光层上的第二公共层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光显示装置，包括：/n基板，其具有多个子像素；/n第一电极，其设置在每个所述子像素中；/n堤部，其限定每个所述子像素中的发射部，并且具有与所述第一电极的上表面相比具有更大程度的表面粗糙度的上表面；/n第一公共层，其在所述子像素上方以覆盖所述第一电极和所述堤部；/n发光层，其在所述第一公共层上以与每个所述子像素的发射部相对应；以及/n第二公共层和第二电极，其堆叠在所述子像素上方的发光层上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
