[发明专利]硫、氮双掺杂碳纳米管薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910567342.4 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110316720B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 曾培源;沈健民;何占宇;李建稳;王帝 | 申请（专利权）人： | 沈健民 |
| 主分类号： | C01B32/162 | 分类号： | C01B32/162;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 陈娟 |
| 地址： | 239000 安徽省滁州*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硫、氮双掺杂碳纳米管薄膜的制备方法，通过将碳源、催化剂、硫源和氮源进行混合，然后混合液体注入管式炉内得到硫、氮双掺杂碳纳米管，最后制成薄膜。本发明利用CVD法，通过改变硫源、氮源的种类和用量，对硫、氮双掺杂碳纳米管的生长进行了调控，最终得到了高纯度的硫、氮双掺杂碳纳米管薄膜；本发明所制备的硫、氮双掺杂碳纳米管薄膜具有产量大、工艺简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 纳米 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硫、氮双掺杂碳纳米管薄膜，其特征在于：所述碳纳米管薄膜为纤维状。
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