[发明专利]一种基于ELM的区域电离层延迟实时建模方法有效
| 申请号： | 201910566107.5 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110377969B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 潘树国;赵涛;高旺;喻国荣;张正协;黄砺枭 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G06F30/27 | 分类号： | G06F30/27;G06N3/04;G06N3/08;G01S19/37 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 210000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于ELM的区域电离层延迟实时建模方法。首先根据CORS站观测值获得信号穿刺点处电离层VTEC值和穿刺点经纬度，建立区域电离层球谐函数模型；然后使用球谐函数模型求解各穿刺点的VTEC模型值和模型值残差；其次建立ELM模型，将穿刺点经纬度、球谐函数模型自变量参数、VTEC模型值作为ELM模型输入参数，VTEC模型值残差作为输出参数，构建学习样本数据进行训练建模；最后利用训练好的ELM模型实时计算模型残差补偿值，结合VTEC球谐函数模型值得到VTEC预测值。使用本发明提出的方法，能够实时建立区域高精度电离层延迟模型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 elm 区域 电离层 延迟 实时 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于ELM的区域电离层延迟实时建模方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)通过CORS站获得卫星信号穿刺点的经纬度坐标和电离层垂直向总电子含量观测值，此观测值作为该穿刺点VTEC真值，记为VTECtrue，以此求解电离层球谐函数模型参数，建立区域电离层球谐函数模型；(2)获得球谐函数模型参数后，通过区域球谐函数模型求解各穿刺点的垂直向总电子含量，称作VTEC模型值，记为VTECSH，将VTEC真值与模型值作差得到模型值残差，记为ErrorSH；(3)将穿刺点日固经度和纬度坐标、球谐函数模型自变量参数、VTEC模型值作为输入参数，VTEC模型值残差作为输出参数，构建学习样本对ELM模型进行训练；(4)利用训练好的ELM模型对整个区域的球谐函数模型残差进行实时补偿，获得球谐函数模模型残差预测值，记为PredSH，结合球谐函数模型值VTECSH得到最终的VTEC预测值，记为VTECELM‑SH。
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