[发明专利]一种液态硅中气泡CVD法生长晶体硅的方法在审
| 申请号： | 201910565864.0 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110205676A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 刘建军 | 申请（专利权）人： | 刘建军 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 471000 河南省洛阳市高新*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种液态硅中气泡CVD法生长晶体硅的方法，涉及人工晶体技术领域，本发明通过在坩埚(4)中设置硅熔液(5)，然后将三氯氢硅和氢气通过气体分流器(9)从坩埚的中下部或底部进入到熔化的硅熔液中形成若干个气泡，在气泡内氢气还原三氯氢硅生成硅，本发明具有生产效率高、能耗低、成本低等优点，本发明具有生产效率高、能耗低、成本低等优点，是替代现有多晶硅还原生长的有效方法，适合大范围的推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 三氯氢硅 生产效率 硅熔液 晶体硅 液态硅 坩埚 生长 能耗 熔化 气体分流器 氢气还原 人工晶体 氢气 多晶硅 还原 替代 应用 | ||
【主权项】：
1.一种液态硅中气泡CVD法生长晶体硅的方法，其特征是：所述方法包括如下步骤：第一步、熔化晶体硅熔液：首先将晶体硅碎料放入到晶体硅生长装置中的坩埚(4)内，然后启动电源，通过发热体(3)对坩埚(4)进行加热，将坩埚(4)内的晶体硅熔化成硅熔液(5)；第二步、生成晶体硅：接上步、开启气源，气源中的三氯氢硅和氢气通过气体分流器(9)从坩埚(4)的中下部或底部进入到熔化的硅熔液(5)中形成若干个气泡，在气泡内氢气还原三氯氢硅生成硅，气泡到达硅熔液(5)顶部时，气泡破裂后生成的硅在硅熔液(5)表面堆积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘建军，未经刘建军许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910565864.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
