[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法、原子层沉积装置和显示面板有效
| 申请号： | 201910564637.6 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110444478B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 夏玉明;卓恩宗 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;滁州惠科光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/321;C23C16/34;C23C16/455;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜晶体管的制作方法、原子层沉积装置和显示面板。薄膜晶体管包括金属层，对金属层的加工步骤包括将金属层放置于原子层沉积装置的反应室内；在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第一前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第一预设次数；在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第二前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第二预设次数；在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第三前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第三预设次数；将上述步骤重复进行第四预设次数。对金属层进行加工防止金属层氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 原子 沉积 装置 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管包括金属层，对所述金属层的加工步骤包括：将金属层放置于原子层沉积装置的反应室内；在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第一前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第一预设次数；在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第二前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第二预设次数；在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第三前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第三预设次数；以及将上述步骤重复进行第四预设次数形成保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
