[发明专利]一种垂直腔半导体光放大器，光放大系统及制备方法有效
| 申请号： | 201910562970.3 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110265874B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张星;吴昊;张建伟 | 申请（专利权）人： | 长春中科长光时空光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/187 | 分类号： | H01S5/187;H01S5/183;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王云晓 |
| 地址： | 130000 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种本发明所提供的一种垂直腔半导体光放大器，包括顶热沉、底热沉和至少两个光放大芯片；顶热沉和底热沉沿厚度方向相对设置，光放大芯片位于顶热沉和底热沉之间，至少两个光放大芯片沿厚度方向堆叠以固定连接；光放大芯片包括有源区，与底热沉相接触的光放大芯片为第一芯片，第一芯片还包括底腔镜；与顶热沉相接触的光放大芯片为第二芯片，第二芯片还包括顶腔镜。由于谐振腔的长度是由多个光放大芯片的厚度决定，使得该谐振腔的长度可以较长，从而当光线在谐振腔内振荡时可以有效减少谐振腔内光功率体密度，使得垂直腔半导体光放大器具有更高的光功率安全阈值。本发明还提供了一种光放大系统及制备方法，同样具有上述有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 半导体 放大器 放大 系统 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直腔半导体光放大器，其特征在于，包括顶热沉、底热沉和至少两个光放大芯片；所述顶热沉和所述底热沉沿厚度方向相对设置，所述光放大芯片位于所述顶热沉和所述底热沉之间，至少两个所述光放大芯片沿所述厚度方向堆叠以固定连接；所述光放大芯片包括有源区、位于所述有源区朝向所述底热沉一侧的缓冲区、以及位于所述有源区朝向所述顶热沉一侧的阻挡区；任意相邻两个所述光放大芯片之间，朝向所述底热沉一侧的光放大芯片的阻挡区与朝向所述顶热沉一侧的光放大芯片的缓冲区相接触以固定连接；与所述底热沉相接触的光放大芯片为第一芯片，所述第一芯片还包括位于所述第一芯片中有源区朝向所述底热沉一侧的底腔镜；与所述顶热沉相接触的光放大芯片为第二芯片，所述第二芯片还包括位于所述第二芯片中有源区朝向所述顶热沉一侧的顶腔镜。
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