[发明专利]一种片内CMOS电容及一种芯片有效
| 申请号： | 201910561793.7 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110263468B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 何力 | 申请（专利权）人： | 湖南国科微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/30 | 分类号： | G06F30/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘翠香 |
| 地址： | 410131 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种片内CMOS电容和一种芯片，包括主模块、从模块和等效MOS管，主模块包括串联于预设电源和接地端之间的主MOS管和主电阻单元，从模块包括串联于预设电源和接地端之间的从MOS管和配合MOS管；主MOS管与从MOS管连接以形成电流镜结构；配合MOS管的源极和栅极分别与等效MOS管的源极和栅极依次连接；等效MOS管的栅极作为等效电容的第一极板，源极与漏极相连作为第二极板。由于本申请中主MOS管与从MOS管形成了电流镜结构，当通过主模块的电流恒定，配合MOS管的栅源电压恒定不变，保证了等效MOS管的栅源电压不变，其等效电容的容值稳定，避免对外界应用电路产生负面影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 电容 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种片内CMOS电容，其特征在于，包括主模块、从模块和等效MOS管，所述主模块包括串联于预设电源和接地端之间的主MOS管和主电阻单元，所述从模块包括串联于所述预设电源和所述接地端之间的从MOS管和配合MOS管；所述主MOS管与所述从MOS管连接以形成电流镜结构；所述配合MOS管的源极和栅极分别与所述等效MOS管的源极和栅极依次连接；所述等效MOS管的栅极作为等效电容的第一极板，源极与漏极相连作为所述等效电容的第二极板。
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