[发明专利]惰性气体的稳流调节方法、单晶硅的制造方法及单晶硅在审
| 申请号： | 201910561681.1 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110205675A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 潘浩;全铉国 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B27/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种惰性气体的稳流调节方法、单晶硅的制造方法及单晶硅，应用于拉晶炉，所述调节方法包括：从拉晶炉的副炉室向拉晶炉内通入惰性气体，调节通入所述拉晶炉的副炉室内的惰性气体的流向。根据本发明的稳流装置，可以约束惰性气体流动方向，降低单晶硅棒的摆动幅度，减少单晶生长位错现象发生的几率，避免不纯物对晶棒和热场部件侧壁造成污染和侵蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 惰性气体 单晶硅 拉晶炉 稳流 摆动幅度 单晶硅棒 单晶生长 热场部件 稳流装置 不纯物 副炉室 侧壁 副炉 晶棒 位错 制造 室内 侵蚀 流动 污染 应用 | ||
【主权项】：
1.一种惰性气体的稳流调节方法，其特征在于，应用于拉晶炉，所述调节方法包括：从拉晶炉的副炉室向拉晶炉内通入惰性气体，调节通入所述拉晶炉的副炉室内的惰性气体的流向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司，未经西安奕斯伟硅片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910561681.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
