[发明专利]磁阻效应元件有效
| 申请号： | 201910561313.7 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110660907B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 市川心人;中田胜之;佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁阻效应元件，其具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、和夹持于上述第一铁磁性层及上述第二铁磁性层之间的隧道势垒层，上述隧道势垒层是分别含有一层以上的具有尖晶石结构的第一氧化物层和具有组成与上述第一氧化物层不同的尖晶石结构的第二氧化物层的层叠体。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，其中，/n所述磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及被夹持于所述第一铁磁性层及所述第二铁磁性层之间的隧道势垒层，/n所述隧道势垒层是分别含有一层以上的具有尖晶石结构的第一氧化物层、和具有组成与所述第一氧化物层不同的尖晶石结构的第二氧化物层的层叠体。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910561313.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁性存储装置
- 下一篇：存储器装置及其制造方法
