[发明专利]一种基于P3HT超薄膜的三端人造突触器件在审
| 申请号： | 201910559549.7 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110277496A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 徐文涛;韩弘 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人： | 张耀 |
| 地址： | 300350 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于P3HT超薄膜的三端人造突触器件。通过设计类场效应管结构的P3HT超薄膜人造突触电子器件来实现神经信号在突触间传递的模拟。通过对所述P3HT超薄膜突触电子器件进行电学表征，证明所述的突触器件可以实现对于生物突触功能的基本模拟，包括兴奋性突触后电流(EPSC),双脉冲易化(PPF),短程可塑性向长程转变(STP to LTP)，突触增强与抑制(Potentiation and Depression),自稳可塑性(Homeostatic Plasticity)等。得出半导体超薄膜微结构与神经仿生电子器件性能关系的规律性结论，为突触器件长短程可塑性的调节提供理论指导。 | ||
| 搜索关键词： | 突触 超薄膜 人造突触 可塑性 电子器件 三端 兴奋性 电子器件性能 场效应管 电学表征 理论指导 神经信号 双脉冲 微结构 长程 半导体 规律性 神经 传递 | ||
【主权项】：
1.一种基于P3HT超薄膜的三端人造突触器件，其特征在于：所述人造突触器件由栅极，源极/漏极，离子胶和半导体层组成；所述电脉冲信号通过栅极作用到离子胶层，模拟前神经元产生的神经冲动以动作电位的形式传出并通过轴突的分枝到达突触前膜的过程。在突触前穗的作用下，离子发生迁移，在离子胶/P3HT超薄膜的结合体中，负电压的电脉冲导致部分阴离子迅速聚集于P3HT超薄膜周围，使超薄膜中电流强度产生变化。
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