[发明专利]一种基于干涉吸收腔红外吸收层的红外探测器及制备方法在审

专利信息
申请号: 201910551807.7 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN110186575A 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 侯海港;黄清伟;乔冠军 申请(专利权)人: 镇江爱豪科思电子科技有限公司
主分类号: G01J5/12 分类号: G01J5/12;H01L35/34;H01L35/32
代理公司: 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 代理人: 陈佳佳
地址: 212009 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于红外探测领域,涉及一种基于干涉吸收腔红外吸收层的红外探测器及制备方法。其自上而下,其包括三大部分。第一部分为光学部分,包括第一SiO2层和第二Ge层。第二部分为热电部分,包括第一TiN层,第二Si3N4层,第三SiO2层,第四Al层,第五SiO2层以及第六N型多晶硅层。第三部分为支撑层部分,包括第一SiO2层,第二Si3N4以及第三SiO2层。本发明将光学设计引入非制冷热电堆红外探测器,结合材料和器件结构的光学设计与合理优化。光学设计后,光学干涉实现高红外吸收,在8‑14μm波段的平均红外吸收率高达85%以上,很大程度的提高了红外吸收,提高了非制冷热电堆红外探测器的性能。
搜索关键词: 光学设计 热电堆红外探测器 红外探测器 红外吸收层 红外吸收 非制冷 吸收腔 制备 红外吸收率 光学干涉 红外探测 结合材料 器件结构 支撑层 干涉 波段 热电 引入 优化
【主权项】:
1.一种基于干涉吸收腔红外吸收层的红外探测器,其特征在于,自上而下,其包括三大部分;第一部分为光学部分,包括第一SiO2层和第二Ge层;第二部分为热电部分,包括第一TiN层,第二Si3N4层,第三SiO2层,第四Al层,第五SiO2层以及第六N型多晶硅层;第三部分为支撑层部分,包括第一SiO2层,第二Si3N4以及第三SiO2层。
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