[发明专利]半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器有效
| 申请号： | 201910540105.9 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110289549B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 赵碧瑶;井红旗;刘翠翠;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/0237 | 分类号： | H01S5/0237;H01S5/024;H01S5/0234 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器，该封装方法包括：在过渡热沉的凸台上镀焊料，得到过渡热沉一；在过渡热沉一上封装半导体激光器芯片；将得到的过渡热沉与半导体激光器芯片键合连接。本发明的绝热封装方法中空气隙的引入改变了热流动情况，使得几乎所有热量通过热沉的凸台流向底部热沉，使得激光器芯片中心导热性能优于两侧，其温度下降更快，整个激光器芯片温度更均匀，削弱了热透镜效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 芯片 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器芯片的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在过渡热沉的凸台上镀焊料，得到过渡热沉一；(2)在过渡热沉一上封装半导体激光器芯片；(3)将步骤(2)得到的过渡热沉与半导体激光器芯片键合连接。
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