[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910538368.6 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110211960B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 张国栋;王秉国;李磊;李拓 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11582;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，在堆叠层中形成沟道孔以及在沟道孔的侧壁上形成存储功能层之后，在沟道孔的内壁上形成硅锗层，并进行热氧化工艺，使得部分厚度的硅锗层被氧化，而剩余的硅锗层作为沟道层。这样，在热氧化工艺中，由于锗的氧化速度低于硅的氧化速度，使得锗朝向未被氧化的部分中扩散，从而，提高了沟道层中锗的含量，进而，提高沟道层的迁移率，为器件提供更高的驱动电流，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有堆叠层，所述堆叠层中形成有沟道孔，所述沟道孔的侧壁上形成有存储功能层；在所述沟道孔的内壁上形成硅锗层；进行热氧化工艺，使得部分厚度的硅锗层被氧化；以介质材料填充所述沟道孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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