[发明专利]应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器在审

专利信息
申请号: 201910537715.3 申请日: 2019-06-20
公开(公告)号: CN110265873A 公开(公告)日: 2019-09-20
发明(设计)人: 陈景标;常鹏媛 申请(专利权)人: 温州激光与光电子协同创新中心
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/14
代理公司: 北京君智知识产权代理事务所(普通合伙) 11305 代理人: 黄绿雯
地址: 325000 浙江省温州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器,在输出光端面设置滤光/反馈薄膜组和部分反射膜,滤光/反馈薄膜组包括多层高折射率材料‑低折射率材料薄膜,VCSEL激光芯片输出的相干光束经滤光/反馈薄膜组选频率得到单波长光束,然后被部分反射膜部分反射,反射光在由输出光端面与滤光/反馈薄膜组构成的谐振腔中振荡、放大至超过振荡阈值。本发明将VCSEL激光芯片和多层兼具滤光和外腔反馈功能于一体的滤光/反馈薄膜组集成一体化,获得一种小型集成化、窄线宽的激光器,具有结构简单、生产低成本、高抗干扰性、窄线宽特性,因此适用于芯片级原子光学器件并实现批量生产。
搜索关键词: 滤光 薄膜组 反馈 芯片级原子钟 激光芯片 磁力计 反射膜 干涉型 输出光 窄线宽 振荡 低折射率材料 单波长光束 高抗干扰性 集成一体化 小型集成化 折射率材料 端面设置 外腔反馈 相干光束 原子光学 低成本 反射光 激光器 谐振腔 芯片级 多层 反射 薄膜 应用 放大 生产 输出
【主权项】:
1.一种应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器,所述激光器包括由依次设置的P极、P光栅、增益区、N光栅和N极组成的VCSEL激光芯片,其特征在于在所述P极的输出光端面设置滤光/反馈薄膜组,所述滤光/反馈薄膜组包括多层高折射率材料‑低折射率材料薄膜,以及设置在所述输出光端面远端的部分反射膜;所述干涉型VCSEL激光芯片输出的相干光束经所述滤光/反馈薄膜组选频率得到单波长光束,该单波长光束被所述部分反射膜部分反射,反射光在由所述VCSEL激光芯片的输出光端面与滤光/反馈薄膜组构成的谐振腔中振荡、放大至超过振荡阈值,使所述部分反射膜的透射光作为所述干涉型VCSEL激光器的输出激光。
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