[发明专利]一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法及结构有效
| 申请号： | 201910534581.X | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110233105B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李仕强;王东盛;李亦衡;张葶葶;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王桦 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，包括在SiC基衬底上生长第一缓冲层、在所述的第一缓冲层上生长第二缓冲层、在所述的第二缓冲层上生长势垒层，其特征在于：在所述的第一缓冲层生长所述的第二缓冲层之前，在所述的第一缓冲层上生长AlGaN插入层，所述的第二缓冲层生长在所述的AlGaN插入层上，所述的AlGaN插入层的生长厚度为5~100nm，在所述的AlGaN插入层中Al的组份为5%~50%。本发明通过引入AlGaN插入层成功实现了SiC基HEMT外延翘曲的灵活控制，可以通过控制AlGaN的厚度或者Al组分来灵活实现大范围增强或者减弱SiC基HEMT外延的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可调 sic hemt 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，包括在SiC基衬底上生长第一缓冲层、在所述的第一缓冲层上生长第二缓冲层、在所述的第二缓冲层上生长势垒层，其特征在于：在所述的第一缓冲层生长所述的第二缓冲层之前，在所述的第一缓冲层上生长AlGaN插入层，所述的第二缓冲层生长在所述的AlGaN插入层上，所述的AlGaN插入层的生长厚度为5~100nm，在所述的AlGaN插入层中Al的组份为5%~50%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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