[发明专利]像素结构有效
申请号: | 201910530938.7 | 申请日: | 2019-06-19 |
公开(公告)号: | CN110231739B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 朱公勍;张哲嘉;刘品妙;苏松宇 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提出一种像素结构,包括基板、配置于基板上的信号线及像素单元。像素单元具有位于信号线两侧的第一区及第二区,且包括至少位于第一区的第一像素电极、位于第一区且在第一像素电极上的第一共电极、位于第二区的第二共电极、至少位于第二区且在第二共电极上的第二像素电极、位于第一像素电极与第一共电极之间及第二共电极与第二像素电极之间的绝缘层、及位于第一区与第二区之间且贯穿绝缘层的连接孔。第一像素电极与第二像素电极经由连接孔电性连接。第一及第二共电极、第一及第二像素电极包括透光导电材料。第一及第二共电极分别包括多个梳状电极。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括:基板;第一信号线,配置于该基板上;以及像素单元,配置于该基板上,且具有位于该第一信号线相对两侧的第一区及第二区,该像素单元包括:第一像素电极,至少位于该第一区;第一共电极,位于该第一区且于该第一像素电极上;第二共电极,位于该第二区;第二像素电极,至少位于该第二区且于该第二共电极上;绝缘层,位于该第一像素电极与该第一共电极之间以及该第二共电极与该第二像素电极之间;以及连接孔,位于该第一区与该第二区之间且至少贯穿该绝缘层,该第一像素电极与该第二像素电极经由该连接孔电性连接,其中:该第一共电极包括透光导电材料;该第一像素电极包括透光导电材料;该第二像素电极包括透光导电材料;该第二共电极包括透光导电材料;该第一共电极包括多个第一梳状电极;且该第二像素电极包括多个第二梳状电极。
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