[发明专利]一种晶圆后处理系统和方法在审
| 申请号： | 201910517944.9 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110379734A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 李长坤;赵德文;魏聪;王同庆;路新春 | 申请（专利权）人： | 清华大学;天津华海清科机电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域，公开了一种晶圆后处理系统和方法，系统包括：晶圆提升装置，用于从清洗液中提拉浸入清洗液的晶圆；气体喷射装置，用于在晶圆从清洗液中提升的过程中，向晶圆表面附着的清洗液的弯液面区域喷射第一温度的干燥气体，以使晶圆表面的附着物按照与提升方向相反的方向从晶圆表面剥离；液面监测装置，与气体喷射装置连接，用于检测弯液面区域的位置以使气体喷射装置喷射的干燥气体对准该弯液面三相接触线区域。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗液 气体喷射装置 晶圆表面 弯液面 晶圆 后处理系统 干燥气体 种晶 喷射 化学机械抛光 液面监测装置 三相接触线 附着物 后处理 浸入 方向相反 提升装置 附着 提拉 对准 剥离 检测 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆后处理系统，包括：晶圆提升装置，用于从清洗液中提拉浸入所述清洗液的晶圆；气体喷射装置，用于在所述晶圆从所述清洗液中提升的过程中，向所述晶圆表面附着的所述清洗液的弯液面区域喷射干燥气体，以使所述晶圆表面的附着物按照与所述提升方向相反的方向从所述晶圆表面剥离；液面监测装置，与所述气体喷射装置连接，用于监测所述弯液面区域的位置以使所述气体喷射装置喷射的所述干燥气体对准所述弯液面区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
