[发明专利]一种硅晶体管输出特征仿真算法在审
| 申请号： | 201910517734.X | 申请日： | 2019-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN112084614A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 唐颖 | 申请（专利权）人： | 唐颖 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102433 北京市房*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅晶体管输出特征仿真算法，涉及对BJT硅晶体管,增强型MOS硅晶体管的输出特征仿真。本发明定义了晶体管扩展低压区,扩展高压区和本征区。所述仿真算法中使用的晶体管数据完全来者数据手册，易于获得。扩展低压区,扩展高压区可以帮助电路仿真软件计算，本征区从电压算电流和从电流算电压都是显式公式形式，使用方便。可以仿真NPN,PNP,NMOS和PMOS型晶体管的输出特征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 输出 特征 仿真 算法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于唐颖，未经唐颖许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910517734.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：中子伽马集成检测系统
- 下一篇：头戴式设备
