[发明专利]一种低缺陷密度LED外延结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910515852.7 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110190160B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 滕龙;霍丽艳;林加城;谢祥彬;刘兆 | 申请（专利权）人： | 江西乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 温可睿 |
| 地址： | 330103 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本申请公开一种低缺陷密度LED外延结构及其制作方法，通过改变第一型半导体层生长过程中的气氛H |
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| 搜索关键词： | 一种 缺陷 密度 led 外延 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种低缺陷密度LED外延结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成非掺杂层、第一型半导体层、多量子阱层、第二型半导体层；其中，所述第一型半导体层的形成采用氮气和氢气的生长气氛，且所述氮气和氢气生长气氛中，气体总流量不变，氮气和氢气的单组分流量变化。
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