[发明专利]具有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种具有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构及制作方法。所述具有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构包括衬底、外延层、沟道和沟阻，所述外延层设在衬底上，所述沟道和沟阻均设在外延层上，所述沟道的两侧均设有沟阻，所述沟道和沟阻上设有多晶硅栅电极和超薄铂硅虚相栅电极，所述多晶硅栅电极和超薄铂硅虚相栅电极交替排列设置，所述多晶硅栅电极与沟道和沟阻之间设有介质层，所述多晶硅栅电极上方设有氧化层，所述介质层下方注入有多晶硅下势阱,所述超薄铂硅虚相栅电极下方注入有铂硅虚相栅下势阱以及铂硅虚相栅下势垒。本发明有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构可实现对对紫外光和软X射线高灵敏探测。

主权项

1.一种具有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构，其特征在于：包括衬底、外延层、沟道和沟阻，所述外延层设在衬底上，所述沟道和沟阻均设在外延层上，所述沟道的两侧均设有沟阻，所述沟道和沟阻上设有多晶硅栅电极和超薄铂硅虚相栅电极，所述多晶硅栅电极和超薄铂硅虚相栅电极交替排列设置，所述多晶硅栅电极与沟道和沟阻之间设有介质层，所述多晶硅栅电极上方设有氧化层，所述介质层下方注入有多晶硅下势阱,所述超薄铂硅虚相栅电极下方注入有铂硅虚相栅下势阱以及铂硅虚相栅下势垒。