[发明专利]一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法在审
| 申请号： | 201910501481.7 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN112071740A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 刘敏;何钧;何志 | 申请（专利权）人： | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 重庆中流知识产权代理事务所(普通合伙) 50214 | 代理人： | 郭桂林 |
| 地址： | 400700 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 为了解决现有技术中碳化硅刻蚀效率低的问题，本发明提供了一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法，包括以下步骤：S100：清洗碳化硅晶片；S200：通过皮秒激光照射碳化硅待刻蚀区域；S300：采用干法刻蚀机对碳化硅样品进行干法刻蚀，形成刻蚀沟槽；S400：干法刻蚀完毕之后去除刻蚀掩膜层；S500：去除刻蚀沟槽侧壁和沟槽底部的刻蚀损伤层。本发明在具体使用中，将碳化硅清洗后通过皮秒激光束照射碳化硅待刻蚀区域的表面，持续一定时间后，破坏该区域深度范围内碳化硅材料的碳硅键，提高该区域碳化硅的干法刻蚀速度，刻蚀效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用皮秒 激光 照射 制备 碳化硅 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
