[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 201910500928.9 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN110880519A | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 金昶和;金宽植;朴商秀;李范硕;赵万根;崔珉准 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘美华 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种图像传感器,所述图像传感器包括:基底,具有位于其中的光电转换元件;第一通孔,延伸到基底的第一表面,使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露,第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸;第一绝缘膜至第三绝缘膜,顺序堆叠在基底的第一表面上;以及接触件,延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜,并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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