[发明专利]金属膜耦合纳米岛表面增强拉曼散射基底及其制备方法有效
| 申请号： | 201910496768.5 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110129756B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张洁;朱永;权佳敏;王宁 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/18;G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吕小琴 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种金属膜耦合纳米岛表面增强拉曼散射基底，包括衬底基片，所述衬底基片上由下至上依次为铝薄膜层、铝元素可穿透的金属薄膜层、氧化铝层和贵金属纳米岛层。由于贵金属纳米岛层具有局域电磁场增强作用，能够增强拉曼散射光，同时铝薄膜层上层的金属薄膜层和贵金属纳米岛层之间会形成作用类似于法珀波导腔的纳米腔，能够进一步增强拉曼散射光；这种结构的基底能够改变分子的散射光分布，进一步提高拉曼信号收集效率。本发明的基底的增强倍数能够达到10 |
||
| 搜索关键词： | 金属膜 耦合 纳米 表面 增强 散射 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属膜耦合纳米岛表面增强拉曼散射基底，包括衬底基片，其特征在于：所述衬底基片上由下至上依次为铝薄膜层、铝元素可穿透的金属薄膜层、氧化铝层和贵金属纳米岛层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学，未经重庆大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910496768.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁控溅射靶材和磁控溅射装置
- 下一篇：一种磁控溅射反应设备换样片装置
- 同类专利
- 专利分类
