[发明专利]可转移亚波长垂直结构发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910496730.8 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110190159B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 王芙馨;刘鹏展 | 申请（专利权）人： | 南京亮芯信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/36 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 210019 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及照明、显示和光通信技术领域，尤其涉及一种可转移亚波长垂直结构发光二极管及其制备方法。所述可转移亚波长垂直结构发光二极管包括：外延层，包括沿所述外延层的轴向方向依次叠置的第一接触层、量子阱层和第二接触层，所述外延层的厚度小于所述可转移亚波长垂直结构发光二极管发射的光线波长；第一电极，位于所述第一接触层表面；第二电极，位于所述第二接触层表面；保护胶，覆盖于所述第一电极背离所述第一接触层的表面。本发明使得发光二极管的光电转换效率大幅度提升，同时，提高了发光二极管对不同类型衬底的兼容性，扩大了发光二极管的应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 波长 垂直 结构 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可转移亚波长垂直结构发光二极管，其特征在于，包括：外延层，包括沿所述外延层的轴向方向依次叠置的第一接触层、量子阱层和第二接触层，所述外延层的厚度小于所述可转移亚波长垂直结构发光二极管发射的光线波长；第一电极，位于所述第一接触层表面；第二电极，位于所述第二接触层表面；保护胶，覆盖于所述第一电极背离所述第一接触层的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京亮芯信息科技有限公司，未经南京亮芯信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910496730.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
