[发明专利]调平机构、反应腔室及半导体加工设备有效
| 申请号: | 201910491836.9 | 申请日: | 2019-06-06 |
| 公开(公告)号: | CN112048715B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
| 发明(设计)人: | 王福来 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明提供一种调平机构、反应腔室及半导体加工设备,该调平机构包括沿待调平件的周向间隔分布的至少三个高度调节组件,每个高度调节组件包括:支撑件,设置在待调平件的底部,用于支撑待调平件;配合件,位于支撑件的下方,并且配合件具有相对于水平面倾斜的第一斜面;楔形件,位于配合件的下方,且具有相对于水平面倾斜的第二斜面,且第二斜面与第一斜面相配合;驱动结构,用于驱动楔形件沿第一水平方向或者方向与之相反的第二水平方向移动,以使第二斜面沿第一斜面相对移动,从而带动支撑件上升或下降。本发明提供的调平机构,用于简化调平过程,节省人力,并降低设备成本。 | ||
| 搜索关键词: | 机构 反应 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





